Olvida los 3 GB de RAM del LG G3. Eso no es nada comparado con los avances que están haciendo en la Universidad de Rice, donde unos científicos han desarrollado una memoria RAM resistiva (RRAM) que poco tiene que ver con las que conocemos hoy en día. El secreto está en que hacen uso de óxido de silicio poroso entre los huecos restantes que dejan las pistas de oro o platino, un material al que no le afecta el calor y que es capaz de durar hasta 100 veces más en comparación con el material anteriormente usado. Pero la característica más llamativa llega con su densidad, ya que los chips resultantes podrían alcanzar capacidades de 1 TB en una superficie similar a la de un sello.
Sabiendo esto, es fácil imaginar teléfonos, tablets y pequeños dispositivos ofreciendo capacidades inimaginables, eliminando así los problemas de falta de memoria que tanto afectan a los terminales más económicos. En principio esta tecnología podría empezar a implementarse a finales de año en dispositivos algo más grandes como automóviles, por lo que tendremos que seguir esperando hasta ver esta tecnología en dispositivos cotidianos.
Fuente: engadget.com
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